STP50N65DM6, MOSFETs N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004830200
- Артикул
- STP50N65DM6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 1
- Корпус
- TO-220
- Упаковка
- Tube
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 909,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Корпус | TO-220 |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 9.6 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N - Channel |
| Qg - заряд затвора | 52.5 nC |
| Время нарастания | 12 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 33 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 91 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 59.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19.2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.75 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 74 мОм |