STP4NK80Z TO-220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075230280
- Артикул
- STP4NK80Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | STMicroelectronics |
| Type: | MOSFET |
| Width | 4.6 mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Height | 9.15 mm |
| Length | 10.4 mm |
| Series | N-channel MDmesh |
| Series: | STP4NK80Z |
| Fall Time | 32 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 12 ns |
| Fall Time: | 32 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 12 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 22.5 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22.5 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 80 W |
| Pd - Power Dissipation: | 80 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 22.5 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 2.9 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.9 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.5 Ohms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 65*37*42.5/959 |