STP4N80K5, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 3 A, 2.1 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8692123688
- Артикул
- STP4N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 4.6mm
- Series
- MDmesh K5
Цена по запросу
(от 304 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 4.6mm |
| Series | MDmesh K5 |
| Fall Time | 21 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 15 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 3.5 |
| Серия | STP4N80K5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220AB |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 10.5 nC |
| Упаковка | Tube |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 21 ns |
| Pd - Power Dissipation | 60 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 60 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 16.5 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Qg - заряд затвора | 10.5 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω |
| Время нарастания | 15 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.1 Ohms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.1 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.1 Ом |