Моя заявка (0)

STP4N62K3, Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

STP4N62K3, Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001011017
Артикул
STP4N62K3
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 620V 3,8A с 3-контактным разъемом (3+Tab) TO-220AB

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-220AB
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologySuperMESH
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
Typical Fall Time (ns)19
Typical Rise Time (ns)9
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)70000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)22
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)22@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)10
Maximum Drain Source Voltage (V)620
Typical Turn-Off Delay Time (ns)29
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4.5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)3.8
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)550@50V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)2000@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)10000
Крутизна характеристики, S-
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В620
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В

Техническая документация