Моя заявка (0)
STP45NF06, MOSFETs N-Ch 60 Volt 38 Amp

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061477022
Артикул
STP45NF06
Бренд
STMicroelectronics
Type:
MOSFET
Brand:
STMicroelectronics
Series
STripFET II
Series:
STP45NF06
Цена по запросу
(от 194,65 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:STMicroelectronics
SeriesSTripFET II
Series:STP45NF06
Pin Count3
Fall Time:10 ns
Packaging:Tube
Rise Time:40 ns
Tradename:STripFET
Вес, г1
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:80 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation80 W
Typical Gate Charge @ Vgs32 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:28 ns
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Id - Continuous Drain Current:38 A
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Minimum Operating Temperature:-65 C
Forward Transconductance - Min:18 S
Maximum Drain Source Resistance28 mΩ
Maximum Continuous Drain Current38 A
Rds On - Drain-Source Resistance:28 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация