STP45N60DM6, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 19А, Idm: 95А, 210Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004033057
- Артикул
- STP45N60DM6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO220-3
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 2.03
- Gate charge
- 44nC
Цена по запросу
(от 1 130 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 19А, Idm: 95А, 210Вт, TO220-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 2.03 |
| Gate charge | 44nC |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | to220 |
| Drain current | 19A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 210W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| On-state resistance | 99mΩ |
| Drain-source voltage | 600V |
| Pulsed drain current | 95A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 210 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |