STP45N60DM2AG, Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029247232
- Артикул
- STP45N60DM2AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO220-3
- Mounting
- THT
- Technology
- MDmesh™ DM2
- Вес, г
- 2
Цена по запросу
(от 1 000 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Mounting | THT |
| Technology | MDmesh™ DM2 |
| Вес, г | 2 |
| Gate charge | 56nC |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 21A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 250W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±25V |
| On-state resistance | 93mΩ |
| Drain-source voltage | 600V |
| Pulsed drain current | 136A |
| Особенности | высоковольтный |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.4мОм |