STP45N40DM2AG,Power MOSFET, N Channel, 400 V, 38 A, 0.063 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013237978
- Артикул
- STP45N40DM2AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- 1PCSNChannel
- Type:
- High Voltage
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STP45N40DM2AG
Цена по запросу
(от 1 850 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Type: | High Voltage |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STP45N40DM2AG |
| Product: | Power MOSFETs |
| Fall Time: | 9.8 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 6.7 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 9.16 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 250W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 56nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.6nF@100V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 68 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 38A |
| Id - Continuous Drain Current: | 38 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 72 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 400 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 72mΩ@19A, 10V |