Моя заявка (0)

STP40N60M2, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 34 A, 0.088 ohm, TO-220, Through Hole

STP40N60M2, Power MOSFET, N Channel, 600 V, 34 A, 0.088 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000104221
Артикул
STP40N60M2
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
2.3
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-220
Power Dissipation
250Вт
Цена по запросу
(от 1 470 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г2.3
Channel TypeN Channel
КорпусTO-220
Power Dissipation250Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Drain Source On State Resistance0.078Ом
Линейка ПродукцииMDmesh M2
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока34А
Рассеиваемая Мощность250Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.078Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А34
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт250
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.088 Ом

Техническая документация