STP3NK80Z, MOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004830182
- Артикул
- STP3NK80Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- Case
- TO220-3
- PPAP
- No
- Type:
- MOSFET
Цена по запросу
(от 210,74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| Case | TO220-3 |
| PPAP | No |
| Type: | MOSFET |
| Width | 4.6mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | STP3NK80Z |
| Version | ESD |
| Assembly | THT |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Enclosure | TO-220 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 40 ns |
| Lead Shape | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Power loss | 70 W |
| Rise Time: | 27 ns |
| Technology | SuperMesh™ |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 1.95 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Max. current | 2.5 A |
| Package Type | TO-220 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| max. Voltage | 800 V |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Drain current | 1.57A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Power dissipation | 70W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 19 nC |
| Process Technology | SuperMESH |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 4.5Ω |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Drain-source voltage | 800V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO |
| Typical Fall Time (ns) | 40 |
| Typical Rise Time (ns) | 27 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1x10<sup>-8</sup> C |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 70 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 70000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 19 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 19@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.5 Ω |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 17 |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 800 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 36 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 Ohms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.5 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 485@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4500@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Крутизна характеристики, S | 2.1 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |
Техническая документация
Datasheet STP3NK80Zpdf, 883 КБSTD3NK80Z-1, STD3NK80ZT4, STF3NK80Z, STP3NK80Zpdf, 1019 КБSTF3NK80Zpdf, 880 КБTechnical Data Sheet - EN Technical Data Sheetpdf, 469 КБТехническая информацияpdf, 1103 КБТехническая информацияpdf, 1037 КБSTD3NK80Z-1, STD3NK80ZT4, STF3NK80Z, STP3NK80Zpdf, 1365 КБSTD3NK80Z-1, STD3NK80ZT4, STF3NK80Z, STP3NK80Zpdf, 1357 КБ