Моя заявка (0)

STP3NK50Z, Power MOSFET, N Channel, 500 V, 2.3 A, 2.8 ohm, TO-220, Through Hole

STP3NK50Z, Power MOSFET, N Channel, 500 V, 2.3 A, 2.8 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8670846319
Артикул
STP3NK50Z
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
1.9
Серия:
STP3NK50Z
Корпус
TO-220
Упаковка:
Tube
Цена по запросу
(от 194 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1.9
Серия:STP3NK50Z
КорпусTO-220
Упаковка:Tube
СтруктураN-Channel
Технология:Si
Вид монтажа:Through Hole
Время спада:14 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продукта:MOSFET
Конфигурация:Single
Подкатегория:MOSFETs
Производитель:STMicroelectronics
Торговая марка:STMicroelectronics
Упаковка / блок:TO-220-3
Канальный режим:Enhancement
Тип транзистора:1 N-Channel
Qg - заряд затвора:15 nC
Время нарастания:13 ns
Категория продукта:МОП-транзистор
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Pd - рассеивание мощности:45 W
Id - непрерывный ток утечки:2.3 A
Коммерческое обозначение:SuperMESH
Vgs - напряжение затвор-исток:-30 V, +30 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:2.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:500 V
Минимальная рабочая температура:-55 C
Максимальная рабочая температура:+150 C
Типичное время задержки выключения:24 ns
Типичное время задержки при включении:8 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.3
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:1.5 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:1000
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.8 Ом

Техническая документация