STP3NK50Z, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072837922
- Артикул
- STP3NK50Z
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 1
- Серия:
- STP3NK50Z
- Упаковка:
- Tube
- Технология:
- Si
Цена по запросу
(от 140,25 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия: | STP3NK50Z |
| Упаковка: | Tube |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Время спада: | 14 ns |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Торговая марка: | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок: | TO-220-3 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора: | 15 nC |
| Время нарастания: | 13 ns |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 45 W |
| Id - непрерывный ток утечки: | 2.3 A |
| Коммерческое обозначение: | SuperMESH |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -30 V, +30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 2.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 500 V |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Максимальная рабочая температура: | +150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 3 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 1.5 S |
| Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 1000 |