Моя заявка (0)
STP3N80K5, MOSFETs N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004830179
Артикул
STP3N80K5
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
0.33
Серия
STP3N80K5
Channel Type
N Channel
Упаковка
Tube
Цена по запросу
(от 231 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected

Технические параметры

Вес, г0.33
СерияSTP3N80K5
Channel TypeN Channel
УпаковкаTube
Power Dissipation60Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада25 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора9.5 nC
Время нарастания7.5 ns
Drain Source On State Resistance2.8Ом
Линейка ПродукцииMDmesh K5
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока2.5А
Рассеиваемая Мощность60Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs4В
Pd - рассеивание мощности60 W
Id - непрерывный ток утечки2.5 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения20.5 ns
Типичное время задержки при включении8.5 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)2.8Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.8Ом

Техническая документация