STP36N60M6, MOSFETs N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004830175
- Артикул
- STP36N60M6
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 870 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 19А, Idm: 102А Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Through Hole |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 1.8 |
| Серия | Mdmesh M6 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | TO-220 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 4.6(Max) |
| Package Length | 10.4(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Упаковка | Tube |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 7.3 ns |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 7.3 |
| Typical Rise Time (ns) | 5.3 |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 208000 |
| Qg - заряд затвора | 44.3 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 44.3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 44.3@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15.2 |
| Время нарастания | 5.3 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 50.2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 30 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1960@100V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 99@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 208 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 85 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 50.2 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15.2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.25 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 208 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 85 мОм |