STP35N60DM2,Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 600 V, 28 A, 0.094 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8749754259
- Артикул
- STP35N60DM2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- null
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 946 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
600 В 28A 110 Мом при 14 А, 10 В 210 Вт 5 В при 250uA null TO-220 МОП-транзисторов ROHS
Технические параметры
| Type | null |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.9 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 210W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 14A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 210W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 54nC@10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.4nF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 28A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 210 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 110mΩ@14A, 10V |