Моя заявка (0)

STP34NM60ND, Trans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

STP34NM60ND, Trans MOSFET N-CH Si 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001670986
Артикул
STP34NM60ND
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STP34NM60ND
Fall Time:
61.8 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 590 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STP34NM60ND
Fall Time:61.8 ns
Packaging:Tube
Rise Time:53.4 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:80.4 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:190 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:30 ns
Typical Turn-Off Delay Time:111 ns
Id - Continuous Drain Current:29 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:110 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация