Транзистор полевой STP34NM60N
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8055405096
- Артикул
- STP34NM60N
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 4.6mm
- Series
- MDmesh
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 3.5
Цена по запросу
(от 750 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 600В, 20А, 250Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 4.6mm |
| Series | MDmesh |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 3.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 210 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 105 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 29 A |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.092 Ом |