STP310N10F7, Транзистор: N-MOSFET, DeepGATE™, полевой, 100В, 120А, 315Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003901933
- Артикул
- STP310N10F7
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO220-3
- Mounting
- THT
- Technology
- DeepGATE™, STripFET™ VII
- Вес, г
- 2.02
Цена по запросу
(от 864 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, DeepGATE™, полевой, 100В, 120А, 315Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Mounting | THT |
| Technology | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| Вес, г | 2.02 |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 120A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 315W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 2.7mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Особенности | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 315 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |