STP2N95K5, MOSFETs N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024119009
- Артикул
- STP2N95K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 32.5 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 13.5 ns
Цена по запросу
(от 167,32 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы MDmesh K5 серии STMicroelectronics MDmesh K5 - это высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, лучшими в отрасли RDS (on) и отличными показателями повышенной плотности мощности и эффективности. Типичные области применения включают светодиодное освещение, приборы учета, солнечные инверторы, 3-фазные вспомогательные источники питания, сварку и управление автомобильными аккумуляторами.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 32.5 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 13.5 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | интеллектуальный ключ с защитой |
| Pd - Power Dissipation: | 45 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 950 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.2Ом |