Моя заявка (0)

STP2N80K5, Транзистор N-МОП, полевой, 800В 2A 45Вт 4,5Ом TO220

STP2N80K5, Транзистор N-МОП, полевой, 800В 2A 45Вт 4,5Ом TO220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049988439
Артикул
STP2N80K5
Бренд
STMicroelectronics
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Brand:
STMicroelectronics
Series
SuperMESH5в„ў ->
Цена по запросу
(от 203,41 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы MDmesh K5 Серия STMicroelectronics MDmesh K5 - это высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, лучшими в отрасли RD(on) и отличающимися повышенной плотностью мощности и КПД. Типичные области применения включают светодиодное освещение, приборы учета, солнечные инверторы, 3-фазные вспомогательные источники питания, сварку и управление автомобильными аккумуляторами.

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Brand:STMicroelectronics
SeriesSuperMESH5в„ў ->
PackageTube
Series:STP2N80K5
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)30V
Packaging:Tube
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Tradename:MDmesh
Вес, г2
RoHS StatusROHS3 Compliant
Technology:Si
REACH StatusREACH Unaffected
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package / CaseTO-220-3
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:3 nC
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100ВµA
Base Product NumberSTP2N80 ->
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 1A, 10V
Pd - Power Dissipation:110 W
Power Dissipation (Max)45W (Tc)
Supplier Device PackageTO-220
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Id - Continuous Drain Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 Ohms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds95pF @ 100V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C2A (Tc)
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация