STP2N80K5, Транзистор N-МОП, полевой, 800В 2A 45Вт 4,5Ом TO220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008512488
- Артикул
- STP2N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- SuperMESH5в„ў ->
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 800В 2A 45Вт 4,5Ом TO220
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | SuperMESH5в„ў -> |
| Package | Tube |
| Series: | STP2N80K5 |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | 30V |
| Packaging: | Tube |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 2 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Technology: | Si |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
| Структура | N-МОП |
| Base Product Number | STP2N80 -> |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 1A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 95pF @ 100V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2A (Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -2…-4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4, 5Ом |