STP28NM50N, Power MOSFET, N Channel, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8708521619
- Артикул
- STP28NM50N
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 4.6mm
- Series
- MDmesh
- Military
- No
- Packaging
- Tube
Цена по запросу
(от 870 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 550В, 21А, 150Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 4.6mm |
| Series | MDmesh |
| Military | No |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 3.05 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Package | TO-220 |
| Process Technology | MDmesh II |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 158 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 21 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 150000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 50 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 50@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??25 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 500 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 21 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1735@25V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 158@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.135 Ом |