STP25N80K5, Trans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070486989
- Артикул
- STP25N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 4.6mm
- Series
- MDmesh K5, SuperMESH5
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 490 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
Технические параметры
| Width | 4.6mm |
| Series | MDmesh K5, SuperMESH5 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Серия | STP25N80K5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 250 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Qg - заряд затвора | 40 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 260 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 19.5 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 19.5 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 260 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |