Моя заявка (0)

STP25N80K5, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 19.5 A, 0.19 ohm, TO-220, Through Hole

STP25N80K5, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 19.5 A, 0.19 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8013286916
Артикул
STP25N80K5
Бренд
STMicroelectronics
Width
4.6mm
Series
MDmesh K5, SuperMESH5
Pin Count
3
Вес, г
1.9
Цена по запросу
(от 1 100 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5

Технические параметры

Width4.6mm
SeriesMDmesh K5, SuperMESH5
Pin Count3
Вес, г1.9
СерияSTP25N80K5
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation250 W
Typical Gate Charge @ Vgs40 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage5V
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Qg - заряд затвора40 nC
Maximum Drain Source Resistance260 mΩ
Maximum Continuous Drain Current19.5 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности250 W
Id - непрерывный ток утечки19.5 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток260 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А19.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.19 Ом

Техническая документация