Моя заявка (0)

STP25N60M2-EP, МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 600 В, 0.175 Ом, 10 В, 3 В

STP25N60M2-EP, МОП-транзистор, N Канал, 18 А, 600 В, 0.175 Ом, 10 В, 3 В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062306792
Артикул
STP25N60M2-EP
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STP25N60M2-EP
Fall Time:
16 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 355,17 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STP25N60M2-EP
Fall Time:16 ns
Packaging:Tube
Rise Time:10 ns
Tradename:MDmesh
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:29 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:150 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:61 ns
Id - Continuous Drain Current:18 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:188 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация