STP24N60DM2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 18A 150Вт 0,2Ом TO220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014887436
- Артикул
- STP24N60DM2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- N Channel
- Brand:
- STMicroelectronics
- RDS-on
- 0.2@10V Ohm
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 289 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В 18A 150Вт 0,2Ом TO220
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Brand: | STMicroelectronics |
| RDS-on | 0.2@10V Ohm |
| Mounting | Through Hole |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 8.7 ns |
| Вес, г | 2.3 |
| Lead Finish | Tin |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Typical Fall Time | 15 ns |
| Typical Rise Time | 8.7 ns |
| Структура | N-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±25 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 60 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 20A |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 200 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 160mΩ@10V |