STP240N10F7, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 110A 300Вт 0,0032Ом TO220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061942167
- Артикул
- STP240N10F7
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STP240N10F7
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 533,94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STP240N10F7 |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 112 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 139 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 160 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 60A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Power Dissipation (Max) | 300W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Квалификация | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 49 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 176 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 110 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.00285Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.2 mOhms |
| Линейка Продукции | STripFET F7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12600 pF @ 25 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 110А |
| Рассеиваемая Мощность | 300Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00285Ом |