STP23N80K5, Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002225161
- Артикул
- STP23N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- null
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 9 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 685 ₽)
Минимальный заказ: 28 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Type | null |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 9 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 9 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220AB |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Power Dissipation (Pd) | 190W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 33nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1nF@100V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 48 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 16A |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 190 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 280 mOhms |