STP220N6F7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025881863
- Артикул
- STP220N6F7
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 2
- Длина
- 15.75 mm
- Серия
- STP220N6F7
- Высота
- 4.6 mm
Цена по запросу
(от 530,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-channel 60 V, 0.0021 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power МОП-транзистор in a TO-220 package
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Длина | 15.75 mm |
| Серия | STP220N6F7 |
| Высота | 4.6 mm |
| Ширина | 10.4 mm |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 29 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 237W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 100nC@10V |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.4nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 120A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 100 nC |
| Время нарастания | 103 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 237 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 54 ns |
| Типичное время задержки при включении | 33 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 237 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2mΩ@60A, 10V |