STP21N90K5, MOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004830147
- Артикул
- STP21N90K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh K5
Цена по запросу
(от 706,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, SuperMESH5™, полевой, 900В, 11,6А, 250Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh K5 |
| Series: | STP21N90K5 |
| Packaging | Tube |
| Packaging: | Tube |
| Technology | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 43 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 43 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 250 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 18.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 18.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 299 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 299 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.25 Ом |