Транзистор полевой STP21N65M5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062671669
- Артикул
- STP21N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- RDS-on
- 190@10V mOhm
- Package
- 3TO-220
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 135,16 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Отверстие; Испытательное напряжение Rds (включено): 10 В; Максимальное пороговое напряжение источника затвора: 4 В; Msl: - Соответствует требованиям Rohs: Да |Stmicroelectronics STP21N65M5
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| RDS-on | 190@10V mOhm |
| Package | 3TO-220 |
| Mounting | Through Hole |
| Rad Hard | No |
| Packaging | Rail/Tube |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 50 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55 to 150 ?C |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 25 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 17 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 150 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |