Транзистор полевой STP20NM60
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075251389
- Артикул
- STP20NM60
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STP20NM60
- Fall Time:
- 11 ns
Цена по запросу
(от 860 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STP20NM60 |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 20 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 2.77 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 54 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 192W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 192 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 54nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.5nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 20A |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 290 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 290mΩ@10V, 10A |