STP20NM50FD, Транзистор: N-MOSFET, FDmesh™, полевой, 500В, 14А, Idm: 80А, 192Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003871885
- Артикул
- STP20NM50FD
- Бренд
- STMicroelectronics
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±30V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 2.5
Цена по запросу
(от 760 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, FDmesh™, полевой, 500В, 14А, Idm: 80А, 192Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 2.5 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 10A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 192W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1380 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 192 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |