Моя заявка (0)
STP20NM50, MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004830143
Артикул
STP20NM50
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
ECCN
EAR99
PPAP
No
HTSUS
8541.29.0095
Цена по запросу
(от 641,66 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 550В, 20А, 192Вт, TO220-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

TabTab
ECCNEAR99
PPAPNo
HTSUS8541.29.0095
SeriesMDmeshв„ў ->
EU RoHSCompliant with Exemption
PackageTube
FET TypeN-Channel
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
Vgs (Max)В±30V
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г2.24
PCB changed3
Part StatusActive
RoHS StatusROHS3 Compliant
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
REACH StatusREACH Unaffected
ConfigurationSingle
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
Process TechnologySuperMESH
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250ВµA
СтруктураN-Channel
Base Product NumberSTP20 ->
Operating Temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Standard Package NameTO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 10A, 10V
Typical Fall Time (ns)8.5
Typical Rise Time (ns)16
Особенности-
Other Related Documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Power Dissipation (Max)192W (Tc)
Supplier Device PackageTO-220AB
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Maximum Power Dissipation (mW)192000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)40
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)40 10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Typical Turn-On Delay Time (ns)24
Maximum Drain Source Voltage (V)500
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Typical Turn-Off Delay Time (ns)9
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1480pF @ 25V
Maximum Continuous Drain Current (A)20
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1480 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)250 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C20A (Tc)
Крутизна характеристики, S10
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт192
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В

Техническая документация