Моя заявка (0)

STP20NF20, Транзистор N-МОП, полевой, 200В, 11А, 110Вт, TO220-3

STP20NF20, Транзистор N-МОП, полевой, 200В, 11А, 110Вт, TO220-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014886743
Артикул
STP20NF20
Бренд
STMicroelectronics
Case
TO220-3
Series
STripFET
Mounting
THT
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 310 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N, TO-220; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:18 А; Напряжение источника стока Vds: 200 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,125 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:3 В; Рассеиваемая мощность

Технические параметры

CaseTO220-3
SeriesSTripFET
MountingTHT
Pin Count3
TechnologySTripFET™
Вес, г1.95
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Polarisationunipolar
Корпусto220
Drain current11A
Mounting TypeThrough Hole
Kind of channelenhancement
Kind of packagetube
Power dissipation110W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-МОП
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.125Ω
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Drain-source voltage200V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation110 W
Typical Gate Charge @ Vgs28 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage200 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance125 mΩ
Maximum Continuous Drain Current18 A
Пороговое напряжение на затворе5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация