STP20N65M5, Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 11,3А, 130Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025881429
- Артикул
- STP20N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO220-3
- Type
- 1PCSNChannel
- Mounting
- THT
- Technology
- MDmesh™ V
Цена по запросу
(от 318,11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Type | 1PCSNChannel |
| Mounting | THT |
| Technology | MDmesh™ V |
| Вес, г | 1.95 |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | to220 |
| Drain current | 11.3A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 130W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-МОП |
| Gate-source voltage | ±25V |
| On-state resistance | 0.19Ω |
| Drain-source voltage | 650V |
| Power Dissipation (Pd) | 130W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 45nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.345nF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 18A |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 130 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 190mΩ@9A, 10V |