Моя заявка (0)

STP200NF03, Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

STP200NF03, Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070582815
Артикул
STP200NF03
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Минимальный заказ: 130 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 30V 120A с 3-контактным разъемом (3+ вкладки) для трубки TO-220AB

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusNRND
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-220AB
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyStripFET III
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
Typical Fall Time (ns)60
Typical Rise Time (ns)195
Особенности-
Supplier Temperature GradeIndustrial
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)300000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)113
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)113@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)30
Maximum Drain Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)75
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)120
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)4950@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)3.6@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация