STP200N3LL, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014889753
- Артикул
- STP200N3LL
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO220-3
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 382 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 30В 120А (Tc) 176,5 Вт (Tc) Со сквозным отверстием TO-220
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | THT |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.99 |
| Gate charge | 53nC |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Type | N Channel |
| Polarisation | unipolar |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Drain current | 120A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power Dissipation | 176.5Вт |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | STP200 -> |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 2.4mΩ |
| Drain-source voltage | 30V |
| Pulsed drain current | 480A |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 60A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 176.5W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drain Source On State Resistance | 0.00215Ом |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 120А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120A (Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 176.5Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00215Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 176.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |