STP19NM50N, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 500В, 10А, 110Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037524462
- Артикул
- STP19NM50N
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 4.6mm
- Series
- MDmesh
- Тип
- Power MOSFET
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 450 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 500В, 10А, 110Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 4.6mm |
| Series | MDmesh |
| Тип | Power MOSFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.95 |
| Серия | STP19NM50N |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 17 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 250 mΩ |
| Время нарастания | 16 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |