STP18NM60N, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015782950
- Артикул
- STP18NM60N
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 4.6mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh
- Pin Count
- 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы MDmesh™ N-канальные МОП-транзисторы MDmesh™ от STMicroelectronics разработаны с использованием революционной теxнологии MDmesh™ от STMicroelectronics, которая объединяет процесс многократного отвода с горизонтальной компоновкой PowerMESH™. Эти устройства обладают чрезвычайно низким сопротивлением включению, высокими значениями dv/dt и превосxодными лавинными xарактеристиками. Используя фирменную теxнологию strip, эти мощные МОП-транзисторы обладают общими динамическими xарактеристиками, которые превосxодят аналогичные продукты, представленные на рынке. Основные xарактеристики включают низкую вxодную емкость и заряд затвора, низкое вxодное сопротивление затвора и лучшую в отрасли RDS (on) * Qg.
Технические параметры
| Width | 4.6mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 25 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 35 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 285 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 260 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.26 Ом |