STP18N65M5, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8658508733
- Артикул
- STP18N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Type
- null
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- N-channel MDmesh
Цена по запросу
(от 586 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 650В 15A 110Вт 0,22Ом TO220
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | null |
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | N-channel MDmesh |
| Packaging | Tube |
| Technology | Si |
| Вес, г | 2.3 |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-220AB |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Power Dissipation (Pd) | 110W |
| Особенности | высоковольтный |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 31nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.24nF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 15A |
| Id - Continuous Drain Current | 9.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 220 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 220mΩ@7.5A, 10V |