STP17N80K5, Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025869058
- Артикул
- STP17N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Case
- TO220-3
- Mounting
- THT
- Technology
- MDmesh™ K5
- Вес, г
- 1.99
Цена по запросу
(от 894 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Mounting | THT |
| Technology | MDmesh™ K5 |
| Вес, г | 1.99 |
| Серия | STP17N80K5 |
| Gate charge | 26nC |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 9A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Power dissipation | 170W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.34Ω |
| Drain-source voltage | 800V |
| Pulsed drain current | 56A |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 170 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 340 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 170 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |