STP16NF06, Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001039538
- Артикул
- STP16NF06
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
Цена по запросу
(от 176 ₽)
Минимальный заказ: 76 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 11А, 45Вт, TO220-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 4.6 mm |
| Height | 9.15 mm |
| Length | 10.4 mm |
| Series | N-channel STripFET |
| Тип | MOSFET |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Fall Time | 6 ns |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 18 ns |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 10.4 mm |
| Серия | STP16NF06 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Package Type | TO-220 |
| Высота | 9.15 mm |
| Корпус | TO-220AB |
| Ширина | 4.6 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Process Technology | STripFET II |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 6 ns |
| Pd - Power Dissipation | 45 W |
| Typical Fall Time (ns) | 6 |
| Typical Rise Time (ns) | 18 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 17 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | 16 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Forward Transconductance - Min | 6.5 S |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 45000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 10 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 10@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 70 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7 |
| Время нарастания | 18 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 100 mOhms |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 5.8 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 17 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.3 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 3.5@10V |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 3.5 |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 50 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 16 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 315@25V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 88 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 100@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 64 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Typical Drain Source Resistance @ 25°C (mOhm) | 80@10V |
| Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 30@25V |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Крутизна характеристики, S | 6.5 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |