STP16N65M5, Транзистор N-MOSFET 650В 12А 90Вт 0.230Ом MDmesh V [TO-220.]
![STP16N65M5, Транзистор N-MOSFET 650В 12А 90Вт 0.230Ом MDmesh V [TO-220.]](https://static.epl-electro.ru/lib/338/DOC001338400.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000244416
- Артикул
- STP16N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- TO-220
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- High Cell Density Trench
Цена по запросу
(от 526 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 650В 12A 90Вт 0,299Ом TO220 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | High Cell Density Trench |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.299 Ом/6А, 10В |