Моя заявка (0)

STP160N75F3, Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 75V; 120A; Idm: 480A

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8034463902
Артикул
STP160N75F3
Бренд
STMicroelectronics
Military
No
Packaging
Tube
Pin Count
3
Automotive
No
Цена по запросу
(от 524,29 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 75 В, тип 3,5 Мом, силовой МОП-транзистор STripFET (TM) мощностью 120 А в корпусе TO-220

Технические параметры

MilitaryNo
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г0.33
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Supplier PackageTO-220
Process TechnologySTripFET
СтруктураMOSFET
Standard Package NameTO-220
Power Dissipation (Pd)330W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)85nC@37.5V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)6.75nF@25V
Continuous Drain Current (Id)120A
Operating Temperature - (??C)-55~175
Maximum Power Dissipation - (mW)330000
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)85
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)85@10V
Maximum Gate Source Voltage - (V)??20
Maximum Drain Source Voltage - (V)75
Maximum Continuous Drain Current - (A)120
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)6750@25V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)40pF@25V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)4@10V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт330
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4mΩ@10V, 60A

Техническая документация