STP160N3LL, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062511438
- Артикул
- STP160N3LL
- Бренд
- STMicroelectronics
- Тип
- STripFET H6
- Вес, г
- 2
- Длина
- 15.75 mm
- Серия
- STP160N3LL
Цена по запросу
(от 166,31 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор LGS LV МОП-транзистор
Технические параметры
| Тип | STripFET H6 |
| Вес, г | 2 |
| Длина | 15.75 mm |
| Серия | STP160N3LL |
| Channel Type | N Channel |
| Высота | 4.6 mm |
| Ширина | 10.4 mm |
| Продукт | Power MOSFETs |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 136Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 23.4 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 42 nC |
| Время нарастания | 91 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.0025Ом |
| Линейка Продукции | STripFET H6 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 120А |
| Рассеиваемая Мощность | 136Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 136 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 24.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0025Ом |