Моя заявка (0)

STP160N3LL, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-220, Through Hole

STP160N3LL, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-220, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003293276
Артикул
STP160N3LL
Бренд
STMicroelectronics
Тип
STripFET H6
Вес, г
1.9
Длина
15.75 mm
Серия
STP160N3LL
Цена по запросу
(от 279 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор LGS LV МОП-транзистор

Технические параметры

ТипSTripFET H6
Вес, г1.9
Длина15.75 mm
СерияSTP160N3LL
Channel TypeN Channel
Высота4.6 mm
КорпусTO-220
Ширина10.4 mm
ПродуктPower MOSFETs
УпаковкаTube
Power Dissipation136Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада23.4 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора42 nC
Время нарастания91 ns
Drain Source On State Resistance0.0025Ом
Линейка ПродукцииSTripFET H6
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока120А
Рассеиваемая Мощность136Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Pd - рассеивание мощности136 W
Id - непрерывный ток утечки120 A
Коммерческое обозначениеSTripFET
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток3.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура175°C
Типичное время задержки выключения24.5 ns
Типичное время задержки при включении19 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0025Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт136
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В20 V, +20 V
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.2 mOhms

Техническая документация