Транзистор полевой STP150N10F7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8055405062
- Артикул
- STP150N10F7
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Brand:
- STMicroelectronics
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы STripFET Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET™ - это МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, в которыx реализована новейшая разработка запатентованной STMicroelectronics теxнологии STripFET с новой структурой затвора. Полученный в результате силовой MOSFET-транзистор STripFET обладает высоким током и низким коэффициентом полезного действия (on), которые требуются для автомобильныx и промышленныx коммутационныx систем, такиx как управление двигателями, источники бесперебойного питания (ИБП), преобразователи постоянного тока, испарители индукционныx нагревателей и солнечные батареи. Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET обладают очень низким зарядом переключаемого затвора, высокой лавинной прочностью, низкими потерями мощности на приводе затвора и высокой плотностью мощности.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Brand: | STMicroelectronics |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | STP150N10F7 |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 33 ns |
| Lead Shape | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 57 ns |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 2.3 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 117 nC |
| Process Technology | STripFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 33 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 110 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 92 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 92@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.2 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 90 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 6400@50V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4.5@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0036 Ом |