STP150N10F7, Транзистор N-МОП, полевой, 100В 110A 250Вт 0,0042Ом TO220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016751621
- Артикул
- STP150N10F7
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 210,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100В 110A 250Вт 0,0042Ом TO220
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 2.3 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Корпус | to220 |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | STripFET |
| Структура | N-МОП |
| Standard Package Name | TO |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 92 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 92@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 90 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 6400@50V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4.5@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | -2…-4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0, 0042Ом |