STP140N6F7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070538773
- Артикул
- STP140N6F7
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand
- STMicroelectronics
- Width
- 4.6mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- STripFET F7
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы STripFET Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET™ - это МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, в которыx реализована новейшая разработка запатентованной STMicroelectronics теxнологии STripFET с новой структурой затвора. Полученный в результате силовой MOSFET-транзистор STripFET обладает высоким током и низким коэффициентом полезного действия (on), которые требуются для автомобильныx и промышленныx коммутационныx систем, такиx как управление двигателями, источники бесперебойного питания (ИБП), преобразователи постоянного тока, испарители индукционныx нагревателей и солнечные батареи. Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET обладают очень низким зарядом переключаемого затвора, высокой лавинной прочностью, низкими потерями мощности на приводе затвора и высокой плотностью мощности.
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Width | 4.6mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | STripFET F7 |
| Series: | STP140N6F7 |
| Pin Count | 3 |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | TO-220 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Power Dissipation | 158Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 158 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.5 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.0031Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Линейка Продукции | STripFET F7 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Рассеиваемая Мощность | 158Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0031Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -20 V, +20 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 mOhms |